 
|
4H/6H Semi-Isolating Silicon Carbide Wafer Untuk Produksi/Penelitian/Kelas Dummy
Detail produk:
| Tempat asal: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | Silicon Carbide |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 5 |
|---|---|
| Waktu pengiriman: | 2 weeks |
| Syarat-syarat pembayaran: | 100%T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 100000 |
|
Informasi Detail |
|||
| Permukaan akhir: | Sisi Tunggal/Ganda Dipoles | TTV: | ≤2um |
|---|---|---|---|
| Partikel: | Partikel Bebas/Rendah | Kekasaran permukaan: | ≤1.2nm |
| Kebosanan: | Lambda/10 | Orientasi: | Sumbu Aktif/Sumbu Luar |
| Bahan: | Silikon Karbida | Jenis: | 4H-N/ 6H-N/ 4H-Semi-menghina/ 6H-Semi-menghina |
| Cahaya Tinggi: | Wafer Sic Grade Dummy,Wafer Karbida Silikon Semi-Isolasi 6H,Wafer Karbida Silikon Kelas Produksi |
||
Deskripsi Produk
Deskripsi produk:
Sebagai produsen dan pemasok terkemukaWafer substrat SiC (Silicon Carbide), ZMSH menawarkan harga terbaik di pasar untuk2 inci dan 3 inci penelitian kelas Silicon Karbida substrat wafer.
Wafer substrat SiC banyak digunakan dalam perangkat elektronik dengandaya tinggi dan frekuensi tinggi, sepertidioda penerbit cahaya (LED)dan lainnya.
LED adalah jenis komponen elektronik yang menggunakan kombinasi elektron dan lubang semikonduktor.umur panjang, ukuran kecil, struktur sederhana, dan kontrol yang mudah.
Fitur:
Silikon Karbida (SiC) kristal tunggal memiliki sifat konduktivitas termal yang sangat baik, mobilitas elektron kejenuhan tinggi, dan ketahanan kerusakan tegangan tinggi.Ini cocok untuk mempersiapkan frekuensi tinggi, perangkat elektronik bertenaga tinggi, suhu tinggi, dan tahan radiasi.
SiC kristal tunggal memilikibanyak properti yang sangat baik, termasukKonduktivitas termal tinggi,Mobilitas elektron jenuh tinggi,kerusakan anti tegangan yang kuat, dll. Ini cocok untuk persiapanfrekuensi tinggi,daya tinggi,suhu tinggidantahan radiasiperangkat elektronik.
Parameter teknis:
Metode pertumbuhanSubstrat Karbida Silikon,Wafer Karbida Silikon,Wafer SiC, danSubstrat SiCadalahMOCVDStruktur kristal bisa menjadi6Hatau4H. Parameter kisi yang sesuai untuk6Hadalah (a=3.073 Å, c=15.117 Å) dan untuk4Hadalah (a=3.076 Å, c=10.053 Å).6Hadalah ABCACB, sedangkan yang dari4Hadalah ABCB.Kelas produksi,Tingkat PenelitianatauTingkat Dummy, jenis konduktivitas bisa baikJenis NatauSemi-insulasi. Band-gap produk adalah 3,23 eV, dengan kekerasan 9,2 (mohs), konduktivitas termal pada 300K dari 3,2 hingga 4,9 W/cm.K. Selain itu konstanta dielektrik adalah e(11) = e(22) = 9,66 dan e(33) = 10.33. Resistivitas dari4H-SiC-Nberada dalam kisaran 0,015 sampai 0,028 Ω·cm,6H-SiC-Nadalah 0,02 sampai 0,1 Ω·cm dan4H/6H-SiC-SILebih dari 1E7 Ω·cm.Kelas 100kantong bersih diKelas 1000Kamar bersih.
Aplikasi:
Silicon Carbide Wafer (SiC wafer) adalah pilihan yang sempurna untuk elektronik otomotif, perangkat optoelektronik, dan aplikasi industri.Substrat SiC tipe 4H-NdanSubstrat SiC Semi-Isolat.
Substrat SiC tipe 4H-N memiliki substrat tipe n yang paling keras dengan nilai resistivitas yang dapat diprediksi dan diulang..Substrat SiC ini sangat ideal untuk aplikasi yang menantang dengan operasi frekuensi tinggi dengan daya termal dan listrik yang tinggi.
Substrat SiC Semi-Isolat memiliki tingkat penerima muatan dasar intrinsik yang sangat rendah.Substrat SiC jenis ini ideal untuk digunakan sebagai substrat epitaxial dan untuk aplikasi seperti perangkat switching bertenaga tinggi, sensor suhu tinggi dan stabilitas termal yang tinggi.
Dukungan dan Layanan:
Kami bangga menawarkan dukungan teknis dan layanan untuk produk Wafer Karbida Silikon kami.Tim profesional kami yang berpengalaman dan berpengetahuan tersedia untuk membantu Anda dengan pertanyaan atau pertanyaan yang mungkin Anda milikiKami menawarkan berbagai layanan, termasuk:
- Saran dan dukungan teknis untuk membantu Anda mendapatkan hasil maksimal dari produk Anda
- Panduan tentang pemilihan wafer terbaik untuk kebutuhan spesifik Anda
- Bantuan dalam pemasangan dan pengaturan wafer Anda
- Bantuan dalam pemecahan masalah yang mungkin Anda miliki
- Pemeliharaan dan peningkatan yang berkelanjutan untuk menjaga wafer Anda berfungsi dengan baik
Kemasan dan Pengiriman:
Kemasan dan Pengiriman Wafer Karbida SilikonWafer Karbida Silikon dikirim dalam kemasan yang aman statis untuk memastikan mereka tetap tidak rusak.- Sebuah sisipan busa dengan kantong masuk untuk melindungi setiap wafer. - Kantong pelindung statis untuk sisipan busa. - Kantong penghalang kelembaban (Vakuum disegel). - Kotak eksternal untuk melindungi kemasan dari kekuatan eksternal.Kemasan juga mencakup label dengan informasi produkPengiriman dilakukan melalui layanan kurir yang dapat diandalkan dengan informasi pelacakan yang disediakan.FAQ:
- T: Apa itu Silicon Carbide Wafer?
- A: Silicon Carbide Wafer adalah bahan semikonduktor yang terbuat dari silikon dan karbon.
- T: Apa Nama Merek Wafer Karbida Silikon?
- A: Nama merek dari Silicon Carbide Wafer adalah ZMSH.
- T: Apa Nomor Model Wafer Karbida Silikon?
- A: Nomor Model Wafer Karbida Silikon adalah Karbida Silikon.
- T: Apa Tempat Asal dari Wafer Karbida Silikon?
- A: Tempat Asal Wafer Karbida Silikon adalah Cina.
- T: Berapa jumlah pesanan minimum wafer silikon karbida?
- A: Jumlah pesanan minimum wafer silikon karbida adalah 5.
- T: Berapa Waktu Pengiriman Wafer Karbida Silikon?
- A: Waktu pengiriman wafer silikon karbida adalah 2 minggu.
- T: Apa Syarat Pembayaran Wafer Karbida Silikon?
- A: Syarat pembayaran wafer silikon karbida adalah 100% T / T.
- T: Apa Kemampuan Pasokan Wafer Karbida Silikon?
- A: Kemampuan pasokan wafer silikon karbida adalah 100000.