 
|
Monocrystalline SiC Silicon Carbide Wafer Substrat Dummy Grade Dia153mm 156mm 159mm
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMKJ |
| Sertifikasi: | ROHS |
| Nomor model: | Boneka media SiC 6 inci |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 buah |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | paket wafer tunggal di ruang pembersih kelas 100 |
| Waktu pengiriman: | 3-6 Minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Menyediakan kemampuan: | 1-50pcs/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | Karbida Silikon Monokristalin | Kekerasan: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| Aplikasi: | MOS dan SBD | Toleransi: | ±0,1 mm |
| Jenis: | 4h-n 4h-semi 6h-semi | Diameter: | 150-160mm |
| Ketebalan: | 0,1-15mm | Resistivitas: | 0,015~0 028 O-cm |
| Cahaya Tinggi: | Monocrystalline SiC Silicon Carbide Wafer,Dummy Grade Silicon Carbide Wafer,Monocrystalline SiC Wafer |
||
Deskripsi Produk
6Inch Dia153mm 156mm 159mm Monocrystalline SiC Silicon Carbide Wafer Substrat Dummy Grade
Tentang Kristal Silikon Karbida (SiC).
Substrat silikon karbida dapat dibagi menjadi tipe konduktif dan tipe semi-insulasi menurut resistivitas.Perangkat silikon karbida konduktif terutama digunakan dalam kendaraan listrik, pembangkit listrik fotovoltaik, transit kereta api, pusat data, pengisian daya, dan infrastruktur lainnya.Industri kendaraan listrik memiliki permintaan besar untuk substrat silikon karbida konduktif, dan saat ini, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng dan perusahaan kendaraan energi baru lainnya telah merencanakan untuk menggunakan perangkat atau modul diskrit silikon karbida.
Perangkat silikon karbida semi-terisolasi terutama digunakan dalam komunikasi 5G, komunikasi kendaraan, aplikasi pertahanan nasional, transmisi data, kedirgantaraan, dan bidang lainnya.Dengan menumbuhkan lapisan epitaxial gallium nitride pada substrat silikon karbida semi-terisolasi, wafer epitaxial gallium nitride berbasis silikon dapat dibuat lebih lanjut menjadi perangkat RF gelombang mikro, yang terutama digunakan di bidang RF, seperti penguat daya dalam komunikasi 5G dan detektor radio dalam pertahanan nasional.
Pembuatan produk substrat silikon karbida melibatkan pengembangan peralatan, sintesis bahan baku, pertumbuhan kristal, pemotongan kristal, pemrosesan wafer, pembersihan dan pengujian, dan banyak tautan lainnya.Dalam hal bahan baku, industri Songshan Boron menyediakan bahan baku silikon karbida untuk pasar, dan telah mencapai penjualan dalam jumlah kecil.Bahan semikonduktor generasi ketiga yang diwakili oleh silikon karbida memainkan peran kunci dalam industri modern, dengan percepatan penetrasi kendaraan energi baru dan aplikasi fotovoltaik, permintaan substrat silikon karbida akan mengantarkan pada titik belok
1. Deskripsi
|
Barang |
Spesifikasi |
|
|---|---|---|
|
Politipe |
4H -SiC |
6H-SiC |
|
Diameter |
2 inci |3 inci |4 inci |6 inci |
2 inci |3 inci |4 inci |6 inci |
|
Ketebalan |
330 μm ~ 350 μm |
330 μm ~ 350 μm |
|
Daya konduksi |
N - tipe / Semi-isolasi |
N - tipe / Semi-isolasi |
|
Dopan |
N2 (Nitrogen)V (Vanadium) |
N2 ( Nitrogen ) V ( Vanadium ) |
|
Orientasi |
Pada sumbu <0001> |
Pada sumbu <0001> |
|
Resistivitas |
0,015 ~ 0,03 ohm-cm |
0,02 ~ 0,1 ohm-cm |
|
Kepadatan Mikropipe (MPD) |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
|
TTV |
≤ 15 μm |
≤ 15 μm |
|
Busur / Warp |
≤25 μm |
≤25 μm |
|
Permukaan |
DSP/SSP |
DSP/SSP |
|
Nilai |
Kelas Produksi / Penelitian |
Kelas Produksi / Penelitian |
|
Urutan Penumpukan Kristal |
ABCB |
ABCABC |
|
Parameter kisi |
a=3.076A , c=10.053A |
a=3.073A , c=15.117A |
|
Misalnya/eV(Band-gap) |
3,27 eV |
3,02 eV |
|
ε(Konstanta Dielektrik) |
9.6 |
9.66 |
|
Indeks Refraksi |
n0 =2.719 ne =2.777 |
n0 =2.707 , ne =2.755 |
Penerapan SiC dalam industri perangkat listrik
Dibandingkan dengan perangkat silikon, perangkat daya silikon karbida (SiC) dapat secara efektif mencapai efisiensi tinggi, miniaturisasi, dan bobot sistem elektronik daya yang ringan.Kehilangan energi perangkat daya SiC hanya 50% dari perangkat Si, dan pembangkitan panas hanya 50% dari perangkat silikon, SiC juga memiliki kerapatan arus yang lebih tinggi.Pada tingkat daya yang sama, volume modul daya SiC secara signifikan lebih kecil daripada volume modul daya silikon.Mengambil modul daya cerdas IPM sebagai contoh, menggunakan perangkat daya SiC, volume modul dapat dikurangi menjadi 1/3 hingga 2/3 modul daya silikon.
Ada tiga jenis dioda daya SiC: dioda Schottky (SBD), dioda PIN, dan dioda Schottky yang dikontrol penghalang sambungan (JBS).Karena penghalang Schottky, SBD memiliki tinggi penghalang persimpangan yang lebih rendah, sehingga SBD memiliki keunggulan tegangan maju yang rendah.Munculnya SBD SiC telah memperluas jangkauan aplikasi SBD dari 250V menjadi 1200V.Selain itu, karakteristiknya pada suhu tinggi baik, arus bocor balik tidak meningkat dari suhu kamar hingga 175 ° C. Dalam bidang aplikasi penyearah di atas 3kV, dioda SiC PiN dan SiC JBS telah mendapat banyak perhatian karena tegangan tembusnya yang lebih tinggi , kecepatan perpindahan lebih cepat, ukuran lebih kecil dan bobot lebih ringan dari penyearah silikon.
Perangkat MOSFET daya SiC memiliki resistansi gerbang yang ideal, kinerja peralihan kecepatan tinggi, resistansi rendah, dan stabilitas tinggi.Ini adalah perangkat pilihan di bidang perangkat daya di bawah 300V.Ada laporan bahwa MOSFET silikon karbida dengan tegangan pemblokiran 10kV telah berhasil dikembangkan.Para peneliti percaya bahwa MOSFET SiC akan menempati posisi yang menguntungkan di bidang 3kV - 5kV.
SiC Insulated Gate Bipolar Transistor (SiC BJT, SiC IGBT) dan SiC Thyristor (SiC Thyristor), perangkat IGBT tipe-P SiC dengan tegangan pemblokiran 12 kV memiliki kemampuan arus maju yang baik.Dibandingkan dengan transistor bipolar Si, transistor bipolar SiC memiliki kerugian switching 20-50 kali lebih rendah dan penurunan tegangan nyala yang lebih rendah.SiC BJT terutama dibagi menjadi BJT emitor epitaxial dan BJT emitor implantasi ion, gain arus tipikal adalah antara 10-50.
Tentang Perusahaan ZMKJ
ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC kristal tunggal berkualitas tinggi (Silicon Carbide) untuk industri elektronik dan optoelektronik.wafer SiC adalah bahan semikonduktor generasi berikutnya, dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik, dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih cocok untuk suhu tinggi dan aplikasi perangkat daya tinggi.Wafer SiC dapat dipasok dengan diameter 2-6 inci, tersedia SiC 4H dan 6H, tipe-N, doping Nitrogen, dan tipe semi-isolasi.Silahkan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.
1--Berapa ukuran wafer SiC?Kami memiliki stok 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci sekarang.
2--Berapa biaya wafer SiC?Itu akan tergantung pada permintaan Anda
3 - Seberapa tebal wafer silikon karbida?Secara umum, ketebalan wafer SiC adalah 0,35 dan 0,5 mm.Kami juga telah menerima disesuaikan.
4--Apa gunanya wafer SiC?SBD, MOS, dan lainnya
FAQ:
T: Bagaimana cara pengiriman dan biayanya?
A:(1) Kami menerima DHL, Fedex, EMS dll.
(2) tidak apa-apa Jika Anda memiliki akun ekspres Anda sendiri, Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya dan
Pengangkutan adalah iN sesuai dengan penyelesaian yang sebenarnya.
T: Bagaimana cara membayar?
A: T/T 100% deposit sebelum pengiriman.
T: Apa MOQ Anda?
A: (1) Untuk persediaan, MOQ adalah 1pcs.kalau 2-5pcs lebih bagus.
(2) Untuk produk commen yang disesuaikan, MOQ adalah 10 pcs lebih tinggi.
T: Apa waktu pengirimannya?
A: (1) Untuk produk standar
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah Anda melakukan pemesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 -4 minggu setelah Anda memesan kontak.
T: Apakah Anda memiliki produk standar?
A: Stok produk standar kami.seperti substrat 4 inci 0,35 mm.