6 Inch 350um 0.5mmt Sapphire Carrier Substrat Wafer SSP DSP

Deskripsi Produk

6 Inch 153mm 156mm 159mm Tebal 350um 0.5mmt Sapphire Carrier Substrat Wafer SSP DSP

Deskripsi Produk:

Lembar ikatan safir digunakan untuk penipisan dan pemolesan wafer galium arsenida Karena berat dan tekanan yang dikenakan oleh peralatan, proses penipisan wafer galium arsenida tradisional cenderung menyebabkan fragmentasi wafer, atau tekanan permukaan terakumulasi untuk membentuk gulungan selama penipisan proses, dan kinerja produk benar-benar hilang.Disk logam yang digunakan untuk pengenceran cenderung menghasilkan polusi logam, dan perekat wafer serta cairan penggilingan kimiawi cenderung menimbulkan polusi.

Proses pengenceran baru menggunakan wafer safir (diameter sedikit lebih besar dari wafer target) sebagai pembawa untuk berikatan dengan wafer gallium arsenide di bawah kondisi suhu tinggi.Gallium arsenide/sapphire bonding wafer dilekatkan pada piringan keramik, ditipiskan dan dipoles dengan perlengkapan khusus, dan kemudian dilelehkan dalam pencucian suhu tinggi untuk memisahkan wafer safir dan gallium arsenide.

Proses pengenceran baru dapat digunakan untuk pemrosesan pengenceran gallium arsenide dan berbagai wafer semikonduktor, dan bahan pembawa dapat berupa safir, kaca, dan wafer poles lainnya.

Sapphire adalah pilihan pembawa utama karena sifat fisik dan kimianya yang unggul serta struktur kristalnya.Pembawa safir yang diluncurkan oleh perusahaan kami sesuai dengan persyaratan peralatan penipisan standar industri dengan diameter 104mm untuk 4 inci.Wafer 6 inci memiliki diameter 156mm atau 159mm, sedikit lebih besar dari wafer standar 4 inci, 6 inci, dan kekasaran permukaan pemoles.

Spesifikasi produk

Bahan: >Kristal alumina kemurnian tinggi 99,99% (metode gelembung)

Arah kristal: bidang C (0001)

Diameter:

76,2mm (variabel ukuran slide 3 inci)

104mm (variabel ukuran slide 4 inci)

159mm (variabel ukuran slide 6 inci)

Ketebalan: Kustom

Pemolesan: pemolesan dua sisi

Kekasaran permukaan pemolesan CMP: Ra Toleransi ketebalan total TTV

Aplikasi:

Sapphire Wafer dari ZMSH: Kualitas Jernih dari China

Apakah Anda mencari wafer safir berkualitas tinggi dari China?Tidak terlihat lagi dari Substrat Safir ZMSH!Wafer safir kami tersedia dalam ukuran 2 inci, 4 inci, dan 6 inci, dan menampilkan permukaan poles satu sisi dengan kerataan λ/10@633nm.Dengan ketebalan mulai dari 0,5mm hingga 2mm dan paralelisme 3 detik busur, wafer safir kami menawarkan kualitas sebening kristal dan performa maksimal.Dapatkan yang terbaik dari wafer safir yang dapat diandalkan dari Substrat Safir ZMSH!

 

Parameter teknik:

Atribut Produk	Spesifikasi teknis
Bahan	Al2O3 99,999%
Hapus Bukaan	>90%
Kualitas Permukaan	Satu Sisi Dipoles
Jenis Substrat	Kristal tunggal
Ukuran	2 inci 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci 12 inci
Kekasaran Permukaan	Ra<0,5nm
Orientasi Permukaan	±0,5°
Paralelisme	3 Arc Sec
Ketebalan	0,5-2mm
Sifat tegak lurus	3 Arc Sec

 

Kustomisasi:

MemperkenalkanSubstrat Safir ZMSH, pilihan sempurna untuk aplikasi C-plane M-plane Anda.Substrat Sapphire kami adalahdiproduksi di Cinadengan TTV superior dari<5μmDan±0,5°Orientasi Permukaan.Bukaan Jelas adalah>90%, dan tegak lurus adalah3 Arc Sec.Dengan ketebalan0,5-2mm, substrat ini adalah pilihan sempurna untuk kebutuhan C-plane M-plane Anda.Dapatkan Substrat Safir ZMSH Anda hari ini.

Pengepakan dan Pengiriman:

Pengemasan dan Pengiriman Substrat Safir

Produk substrat safir dikemas dengan aman dengan bungkus gelembung pelindung, busa, dan kotak karton bergelombang untuk memastikan pengiriman yang aman dan efisien.Semua paket dikirimkan melalui layanan kurir yang andal dan dapat dilacak untuk menjamin pengiriman tepat waktu dan tidak rusak.

Untuk pesanan internasional, semua pengiriman harus melewati bea cukai internasional dan dapat dikenakan biaya atau pajak tambahan.Pelanggan bertanggung jawab atas bea cukai, bea, atau pajak yang berlaku.