Saluran Video Tiongkok SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Obrolan Hubungi kami
Rumah video Daftar putar Situs web

wafer SiC

Video Lainnya
October 13, 2022
Koneksi Kategori: Silicon Carbide Wafer
Obrolan Hubungi kami
Tag:
#substrat silikon karbida #wafer sic #silikon pada wafer safir
Singkat: Temukan Substrat Dummy Prime SiC 2 Inci dan 4 Inci berperforma tinggi, yang dirancang untuk ketahanan guncangan termal dan daya tahan unggul. Ideal untuk elektronik semikonduktor dan aplikasi LED berdaya tinggi, wafer silikon karbida ini hadir dalam ukuran dan jenis yang dapat disesuaikan, termasuk 4H-N dan 6H-N. Jelajahi material semikonduktor generasi berikutnya dengan ZMKJ.
Fitur Produk terkait:
  • Ukuran yang dapat disesuaikan: tersedia 2 inci, 3 inci, 4 inci, dan 6 inci.
  • Wafer SiC tipe 4H-N dan 6H-N dengan kemurnian tinggi untuk kinerja unggul.
  • Ketahanan kelelahan termal yang sangat baik untuk aplikasi suhu tinggi.
  • Ideal untuk elektronik semikonduktor dan perangkat LED berdaya tinggi.
  • Tersedia dalam tipe N-tipe dan semi-isolasi.
  • Kekerasan Mohs ≈9,2 untuk daya tahan yang luar biasa.
  • Konduktivitas termal hingga 4,9 W/cm*K untuk pembuangan panas yang efisien.
  • Cocok untuk lingkungan bertegangan tinggi dan bersuhu tinggi.
FAQ:
  • Apa ukuran yang tersedia untuk wafer SiC?
    Wafer SiC tersedia dalam ukuran 2 inci, 3 inci, 4 inci, dan 6 inci, dengan opsi kustomisasi.
  • Jenis wafer SiC apa yang ditawarkan ZMKJ?
    ZMKJ menawarkan wafer SiC tipe 4H-N, tipe 6H-N, dan semi-isolasi, melayani berbagai kebutuhan industri.
  • Berapa waktu pengiriman untuk wafer SiC yang disesuaikan?
    Untuk produk yang disesuaikan, waktu pengiriman biasanya 2-4 minggu setelah konfirmasi pesanan.
  • Bagaimana konduktivitas termal wafer SiC bermanfaat bagi aplikasi?
    Konduktivitas termal yang tinggi (hingga 4,9 W/cm*K) memastikan pembuangan panas yang efisien, menjadikannya ideal untuk perangkat berdaya tinggi dan bersuhu tinggi.
Video Terkait