Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi

Informasi Dasar
Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMKJ
Nomor model: dia2x10mmt tanpa kotoran
Kuantitas min Order: 5 pcs
Harga: by case
Kemasan rincian: paket wafer tunggal di ruang pembersih 100 tingkat
Waktu pengiriman: 2-3 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T / T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 1-50 pcs / bulan
Bahan: kristal tunggal SiC tak bertanggal Kekerasan: 9.4
Bentuk: tongkat Toleransi: ± 0,1mm
Aplikasi: Optik Tipe: kemurnian tinggi 4h-semi
Tahanan: > 1E7 Ω Warna: Transparan
Permukaan: DSP Konduktivitas termal: > 400W / 298KH
Cahaya Tinggi:

batang kristal sic

,

kristal tunggal 4-semi sic

,

batang sic tidak teropong

 

2 inci / 3 inci / 4 inci / 6 inci 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC ingot / Kemurnian tinggi 4H-N 4 inci 6 inci diameter 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) substrat wafer,

undoped 4h-Semi tinggi kemurnian ukuran disesuaikan batang kristal Sic Diameter lensa2mm 10mm panjang

Tentang Silicon Carbide (SiC) Crystal

 

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

Penerapan SiC

Kristal SiC adalah bahan semikonduktor celah pita lebar yang penting.Karena konduktivitas termalnya yang tinggi, laju penyimpangan elektron yang tinggi, kekuatan medan kerusakan yang tinggi, dan sifat fisik dan kimia yang stabil, ia banyak digunakan dalam suhu tinggi, dalam frekuensi tinggi dan perangkat elektronik berdaya tinggi.Ada lebih dari 200 jenis kristal SiC yang telah ditemukan sejauh ini.Diantaranya, kristal 4H- dan 6H-SiC telah dipasok secara komersial.Semuanya termasuk dalam kelompok titik 6mm dan memiliki efek optik nonlinier orde dua.Kristal SiC semi-isolasi terlihat dan sedang.Pita inframerah memiliki transmitansi yang lebih tinggi.Oleh karena itu, perangkat optoelektronik berbasis kristal SiC sangat cocok untuk aplikasi di lingkungan yang ekstrim seperti suhu tinggi dan tekanan tinggi.Kristal 4H-SiC semi-isolasi telah terbukti menjadi jenis baru dari kristal optik nonlinier inframerah-menengah.Dibandingkan dengan kristal optik nonlinier infra merah tengah yang umum digunakan, kristal SiC memiliki celah pita lebar (3.2eV) karena adanya kristal., Konduktivitas termal yang tinggi (490W / m · K) dan energi ikatan yang besar (5eV) antara Si-C, sehingga kristal SiC memiliki ambang kerusakan laser yang tinggi.Oleh karena itu, kristal 4H-SiC semi-isolasi sebagai kristal konversi frekuensi nonlinier memiliki keuntungan yang jelas dalam menghasilkan laser inframerah-menengah berdaya tinggi.Jadi, dalam bidang laser daya tinggi, kristal SiC adalah kristal optik nonlinier dengan prospek aplikasi yang luas.Namun, penelitian saat ini yang didasarkan pada sifat nonlinier kristal SiC dan aplikasi terkait belum selesai.Karya ini mengambil sifat optik nonlinier kristal 4H- dan 6H-SiC sebagai isi penelitian utama, dan bertujuan untuk memecahkan beberapa masalah dasar kristal SiC ditinjau dari sifat optik nonlinier, sehingga dapat mendorong penerapan kristal SiC di lapangan. optik nonlinier.Serangkaian pekerjaan terkait telah dilakukan secara teoritis dan eksperimental, dan hasil penelitian utama adalah sebagai berikut: Pertama, sifat optik nonlinier dasar dari kristal SiC dipelajari.Variabel refraksi suhu kristal 4H- dan 6H-SiC di pita tampak dan inframerah tengah (404,7nm ~ 2325,4nm) diuji, dan persamaan Sellmier dari indeks bias suhu variabel dipasang.Teori model osilator tunggal digunakan untuk menghitung dispersi koefisien termo-optik.Penjelasan teoritis diberikan;pengaruh efek termo-optik pada pencocokan fasa kristal 4H- dan 6H-SiC dipelajari.Hasil penelitian menunjukkan bahwa pencocokan fasa kristal 4H-SiC tidak dipengaruhi oleh suhu, sedangkan kristal 6H-SiC masih belum dapat mencapai pencocokan fasa suhu.kondisi.Selain itu, faktor penggandaan frekuensi kristal 4H-SiC semi-isolasi diuji dengan metode fringe Maker.Kedua, pembangkitan parameter optik femtosecond dan kinerja amplifikasi kristal 4H-SiC dipelajari.Pencocokan fase, pencocokan kecepatan grup, sudut non-collinear terbaik dan panjang kristal terbaik dari kristal 4H-SiC yang dipompa oleh laser femtosecond 800nm ​​secara teoritis dianalisis.Menggunakan laser femtosecond dengan panjang gelombang output 800nm ​​oleh laser Ti: Safir sebagai sumber pompa, menggunakan teknologi amplifikasi parametrik optik dua tahap, menggunakan kristal 4H-SiC semi-isolasi setebal 3,1mm sebagai kristal optik nonlinier, di bawah pencocokan fase 90 °, Untuk pertama kalinya, laser inframerah-tengah dengan panjang gelombang pusat 3750nm, energi pulsa tunggal hingga 17μJ, dan lebar pulsa 70fs diperoleh secara eksperimental.Laser femtosecond 532nm digunakan sebagai lampu pompa, dan kristal SiC disesuaikan dengan fase 90 ° untuk menghasilkan cahaya sinyal dengan panjang gelombang pusat keluaran 603nm melalui parameter optik.Ketiga, kinerja pelebaran spektral dari kristal 4H-SiC semi-isolasi sebagai media optik nonlinier dipelajari.Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lebar setengah maksimum dari spektrum yang diperluas meningkat dengan panjang kristal dan insiden kerapatan daya laser pada kristal.Peningkatan linier dapat dijelaskan dengan prinsip modulasi fasa sendiri, yang terutama disebabkan oleh perbedaan indeks bias kristal dengan intensitas cahaya datang.Pada saat yang sama, dianalisis bahwa dalam skala waktu femtosecond, indeks bias nonlinier kristal SiC dapat dikaitkan terutama dengan elektron terikat dalam kristal dan elektron bebas pada pita konduksi;dan teknologi pindai-z digunakan untuk mempelajari kristal SiC di bawah laser 532nm.Absorpsi non linier dan non

kinerja indeks bias linier.

 

Properti satuan Silicon SiC GaN
Lebar celah pita eV 1.12 3.26 3.41
Bidang rincian MV / cm 0.23 2.2 3.3
Mobilitas elektron cm ^ 2 / Vs 1400 950 1500
Nilai melayang 10 ^ 7 cm / dtk 1 2.7 2.5
Konduktivitas termal W / cmK 1.5 3.8 1.3

 

 

6 inch Spesifikasi Substrat 4H-SiC Semi-isolasi dengan kemurnian tinggi

Properti UfUhni) Kelas |Kelas P (Produeben) R (Penelitian) Grade D (DummyKelas  
Diameter 150,0 mmHJ. 25 mm  
Surface Oncniation {0001} ± 0,2.  
Flat Orientalicn Utama <ll-20> ± 5.0#  
Secondary Hat OrientaUen N> A  
Panjang Datar Utama 47,5 mm ± 1,5 mm  
Panjang Datar Sekunder Tidak ada  
Wa Tepi Talang  
Kepadatan Mikropip <1 knr <5 / cm2 <10 / cm2 <50 / cm2  
Area Poljlypc menurut High-imcnsity Light Tidak ada < 10%  
Menolak!vit), > lE7Hcm (daerah 75%) > lE7D cm  
Ketebalan 350.0 pm ± 25.0 jim atau 500.0 ± 25.Cpm  
TTV S 10 malam  
Bou <Nilai Mutlak) = 40 malam  
Melengkung -60 malam  
Permukaan Selesai C-focc: Dipoles optik, Si-focc: CMP  
Roughncs (lC UmXIOu m) CMP Si-bee Ra <C, 5 nm T / A  
Retak dengan Cahaya Intensitas Tinggi * Tidak ada  
Edge Chips / lndcnts oleh Diffuse Lighting Tidak ada Qly <2, tbc panjang dan lebar masing-masing V 1 mm  
Area Efektif > 90% > 8C% T / A  
         
Tampilan produk menunjukkan
 
Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi 1Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi 2Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi 3
Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi 4Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi 5

Tentang ZMKJ Company

 

ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC kristal tunggal (Silicon Carbide) berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik.Wafer SiC adalah material semikonduktor generasi selanjutnya, dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik, dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih cocok untuk aplikasi perangkat bersuhu tinggi dan berdaya tinggi.Wafer SiC dapat disuplai dengan diameter 2-6 inci, tersedia tipe 4H dan 6H SiC, tipe-N, Doping nitrogen, dan tipe semi-insulasi.Silahkan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.

 

  1. FAQ:
  2. Q: Bagaimana cara pengiriman dan biayanya?
  3. A: (1) Kami menerima DHL, Fedex, EMS dll.
  4. (2) Tidak apa-apa Jika Anda memiliki akun ekspres Anda sendiri, Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya dan
  5. Pengiriman sesuai dengan penyelesaian sebenarnya.
  6.  
  7. Q: Bagaimana cara pembayarannya?
  8. A: T / T 100 % deposit sebelum pengiriman.
  9.  
  10. T: Apa MOQ Anda?
  11. A: (1) Untuk inventaris, MOQ adalah 1 pcs.jika 2-5 pcs lebih baik.
  12. (2) Untuk produk komen yang disesuaikan, MOQ adalah 10 pcs.
  13.  
  14. Q: Apa waktu pengirimannya?
  15. J: (1) Untuk produk standar
  16. Untuk inventaris: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah Anda melakukan pemesanan.
  17. Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2-4 minggu setelah Anda memesan kontak.
  18.  
  19. T: Apakah Anda memiliki produk standar?
  20. A: Produk standar kami tersedia.seperti substrat 4 inci 0,35 mm.

 

Rincian kontak
Manager

Nomor telepon : +8615801942596

Ada apa : +8615801942596