 |
0.5mm Tebal Dia 150mm 4H-N Silicon Carbide Wafer
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMKJ |
| Nomor model: | Wafer 6 inci 4h-n |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 buah |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | paket wafer tunggal di ruang pembersih 100 tingkat |
| Waktu pengiriman: | 1-6 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Menyediakan kemampuan: | 1-50 pcs / bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | SiC tipe kristal tunggal 4H-N | Kelas: | Dummy / Tingkat produksi |
|---|---|---|---|
| Terima kasih banyak: | 0.35mm 0.5mm | Suraface: | sisi ganda dipoles |
| Aplikasi: | uji polishing pembuat perangkat | Diameter: | 150 ± 0,5mm |
| Cahaya Tinggi: | 4H-N Silicon Carbide Wafer,Dia 150mm Silicon Carbide Wafer,SiC Single Crystal Wafer |
||
Deskripsi Produk
2 inci / 3 inci / 4 inci / 6 inci 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC ingot / Kemurnian tinggi 4H-N 4 inci 6 inci diameter 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) substrat wafer, ingot kristal sic substrat semikonduktor sic,Wafer kristal silikon karbida / wafer sic yang dipotong sesuai pesanan
4inch 2inch 6inch silikon karbida 4H-N as-cut wafer Sic Wafer SiC dengan ketebalan yang disesuaikan
Tentang Silicon Carbide (SiC) Crystal
Silicon carbide (SiC), juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC.SiC digunakan dalam perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya. SiC juga merupakan salah satu komponen LED penting, ini adalah substrat populer untuk perangkat GaN yang sedang berkembang, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas di daya LED.
| Properti | 4H-SiC, Kristal Tunggal | 6H-SiC, Kristal Tunggal |
| Parameter Kisi | a = 3,076 Å c = 10,053 Å | a = 3,073 Å c = 15,117 Å |
| Urutan Bertumpuk | ABCB | ABCACB |
| Kekerasan Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Massa jenis | 3,21 g / cm3 | 3,21 g / cm3 |
| Satuan panas.Koefisien Ekspansi | 4-5 × 10-6 / K. | 4-5 × 10-6 / K. |
| Indeks Refraksi @ 750nm |
tidak = 2.61 ne = 2,66 |
tidak = 2.60 ne = 2,65 |
| Konstanta Dielektrik | c ~ 9,66 | c ~ 9,66 |
| Konduktivitas Termal (tipe-N, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4.2 W / cm · K @ 298K c ~ 3,7 W / cm · K @ 298K |
|
| Konduktivitas Termal (Semi-isolasi) |
a ~ 4,9 W / cm · K @ 298K c ~ 3,9 W / cm · K @ 298K |
a ~ 4,6 W / cm · K @ 298K c ~ 3,2 W / cm · K @ 298K |
| Celah pita | 3.23 eV | 3,02 eV |
| Pemutusan Medan Listrik | 3-5 × 106V / cm | 3-5 × 106V / cm |
| Kecepatan Drift Saturasi | 2.0 × 105m / dtk | 2.0 × 105m / dtk |
Spesifikasi standar untuk wafer sic
Spesifikasi Substrat Silicon Carbide (SiC) berdiameter 4 inci dengan kemurnian tinggi
Produk menunjukkan:
|
Wafer / ingot SiC Tipe 4H-N / Kemurnian Tinggi
2 inci 4H N-Type SiC wafer / ingot
Wafer SiC Tipe N 4H 3 inci 4 inci 4H N-Type SiC wafer / ingot 6 inci 4H N-Type SiC wafer / ingot |
4H Semi-isolasi / Kemurnian Tinggi Wafer SiC 2 inci 4H wafer SiC semi-isolasi
Wafer SiC semi-isolasi 3 inci 4H 4 inci 4H Wafer SiC semi-isolasi 6 inci 4H Wafer SiC semi-isolasi |
|
Wafer SiC 6H Tipe N
2 inci 6H N-Type SiC wafer / ingot |
Ukuran customzied untuk 2-6 inci
|
Tentang ZMKJ Company
ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC kristal tunggal (Silicon Carbide) berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik.Wafer SiC adalah material semikonduktor generasi selanjutnya, dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik, dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih cocok untuk aplikasi perangkat bersuhu tinggi dan berdaya tinggi.Wafer SiC dapat disuplai dengan diameter 2-6 inci, tersedia tipe 4H dan 6H SiC, tipe-N, doping Nitrogen, dan tipe semi-insulasi.Silahkan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.
FAQ:
Q: Bagaimana cara pengiriman dan biayanya?
A: (1) Kami menerima DHL, Fedex, EMS dll.
(2) Tidak masalah Jika Anda memiliki akun ekspres Anda sendiri, Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya dan
Pengiriman adalah in sesuai dengan penyelesaian sebenarnya.
T: Bagaimana cara membayar?
A: T / T 100 ％ deposit sebelum pengiriman.
T: Apa MOQ Anda?
A: (1) Untuk inventaris, MOQ adalah 1 pcs.jika 2-5 pcs lebih baik.
(2) Untuk produk commen yang disesuaikan, MOQ adalah 10 pcs.
Q: Apa waktu pengirimannya?
J: (1) Untuk produk standar
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah Anda melakukan pemesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 -4 minggu setelah Anda memesan kontak.
T: Apakah Anda memiliki produk standar?
A: Produk standar kami tersedia.seperti substrat 4 inci 0,35 mm.