 |
2 Inch DSP SSP Gallium Nitride Wafer Sumbu Safir Substrat GaN Template Epitaxial
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | zmkj |
| Nomor model: | 2 inch substrat safir customzied |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25pcs |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | 25 pcs kasus wafer dengan paket vakum |
| Waktu pengiriman: | 1-5 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, Western Union |
| Menyediakan kemampuan: | 50pcs per bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | Sapphire | Ukuran: | 2 inci |
|---|---|---|---|
| Ketebalan: | 0.43mm | Mengetik: | orientasi customzied |
| Aplikasi: | Pertumbuhan epitaksi GaN | Pertumbuhan: | HVPE / Mocvd |
| Permukaan: | ssp / dsp | Orientasi: | a-axis / m-axis / r-axis |
| Cahaya Tinggi: | gan wafer,wafer gallium arsenide |
||
Deskripsi Produk
Wafer safir R-axis 2 inci untuk uji siap epi, jendela optik safir, substrat R-axis 2 inci safir
1. Deskripsi
Sapphire adalah salah satu bahan yang paling sulit, dan memiliki transmisi yang sangat baik selama rentang spektrum IR yang terlihat dan dekat. Ini banyak digunakan sebagai jendela optik dalam peralatan militer inframerah dan inframerah jauh, peralatan dan instrumen teknologi satelit dan ruang, dan navigasi dan spaceflight, seperti night infrared scope / sight dan night vision camera, dll. Jendela kristal safir diterapkan secara intensif di bidang teknologi tinggi.
Jendela optik safir ideal untuk aplikasi di mana tekanan tinggi, vakum, atau atmosfer korosif menjadi pertimbangan. Sapphire, bentuk kristal tunggal Al2O3, tahan terhadap serangan asam kuat karena konstanta dielektriknya yang tinggi. Memiliki kekuatan tekan yang tinggi dan titik leleh yang tinggi. Ini juga tahan terhadap radiasi UV yang gelap.
aplikasi safir: safir lensa optik, bola safir, bantalan safir, safir dipimpin safir, safir lensa kaca arloji.
Kristal tunggal Al2O3 99,999 ％
Orientasi: R-axis 0,5 °
Diameter: 50,8 ± 0,1mm
Ketebalan: 430 ± 15um atau 330 ± 15um
Flat primer: 16 ± 1mm
OF Orientation flat: Off R to C axis 45 ° ± 0,1 ° C-plane (0001)
Kekasaran Permukaan Sisi Depan: Ra ＜ 0.2nm
Kekasaran Permukaan Bagian Belakang: 0.8 ~ 1.2um (Atau sisi ganda dipoles, kedua sisi Ra ＜ 0.2nm)
TTV: ＜ 10um BOW: -10 ~ 0um WARP: ＜ 10um
Laser Mark Series No. sesuai kebutuhan
Paket: Wadah tertutup rapat dengan pengisian nitrogen di lingkungan kelas 100
Kebersihan: Bebas kontaminasi yang terlihat
Barang | GaN-FS-AU / N / SI-S | GaN-FS-MU / N / SI-S | GaN-FS-SP-U / N / SI-S | ||||
Ukuran | 5.0 ~ 10.0 × 10.0 mm2 | ||||||
5.0 ~ 10.0 × 20.0 mm2 | |||||||
Ketebalan | 350 ± 25 μm | ||||||
(11-20) | (1-100) | (20-21) | |||||
(20-2-1) (11-22) (10-11) | |||||||
Orientasi | |||||||
TTV (Variasi Ketebalan Total) | ≤ 10 μm | ||||||
BUSUR | ≤ 10 μm | ||||||
Jenis konduksi Tahanan (300K) | Tipe-N <0,1 Ω · cm | ||||||
Tipe-N <0,05 Ω · cm | |||||||
Semi-Insulating (Fe-doped)> 106 Ω · cm | |||||||
Kepadatan Dislokasi | Dari 1x105 hingga 3x106 cm-2 | ||||||
Area Permukaan yang Bisa Digunakan | > 90% | ||||||
Polishing | Permukaan Depan: Ra <0,2 nm (dipoles) | ||||||
Permukaan Belakang: 1 ~ 3 nm (tanah halus); pilihan: <0,2 nm (dipoles) | |||||||
| Paket | Dikemas dalam lingkungan ruangan bersih kelas 100, dalam wadah wafer tunggal, di bawah atmosfer nitrogen. | ||||||
2. Standar QC
3. FAQ:
1. Bisakah Anda menerima OEM?
Ya! .Kami dapat memproduksi sesuai spesifikasi permintaan Anda.
2. Bisakah Anda mengirimkan barang melalui agen pengiriman kami?
Ya, kami dapat membantu Anda melakukan pengiriman menggunakan agen pengiriman Anda
3. Bagaimana dengan layanan Purna Jual Anda?
Ya. Kami berjanji bahwa kami dapat mengubah atau mengembalikan produk jika ada masalah kualitas.
Jika Anda membutuhkan bantuan profesional, silakan hubungi kami. Insinyur teknis kami
ingin memberikan saran sesuai dengan kebutuhan Anda
