ukuran disesuaikan wafer substrat HVPE GaN sumbu-m 5x10mm berdiri bebas

Informasi Dasar
Tempat asal: Cina
Nama merek: zmkj
Nomor model: sumbu m 5x10mm
Kuantitas min Order: 10 pcs
Harga: 500usd/pc
Kemasan rincian: kasus wafer tunggal dengan paket vakum
Waktu pengiriman: 1-5 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T / T, Western Union
Menyediakan kemampuan: 50 pcs per bulan
Bahan: Kristal tunggal GaN Ukuran: 5x10mmt
Ketebalan: 0.35MM Tipe: Tipe-si/tidak didoping Fe-doped
Aplikasi: Tampilan Proyeksi Laser, Perangkat Daya Pertumbuhan: HVPE
Permukaan: ssp atau dsp Orientasi: sumbu m
Paket: wadah wafer tunggal

 

Template substrat GaN 2 inci, wafer GaN untuk LeD, Wafer Gallium Nitrida semikonduktor untuk ld, template GaN, wafer GaN mocvd, Substrat GaN berdiri bebas berdasarkan ukuran yang disesuaikan, wafer GaN ukuran kecil untuk LED, wafer Gallium Nitrida mocvd 10x10mm, 5x5mm, GaN 10x5mm wafer, Substrat GaN Berdiri Bebas Non-Polar (pesawat dan m-pesawat)

ukuran disesuaikan 5x10mm m-axis berdiri bebas HVPE GaN substrat wafe

 

Karakteristik Wafer GaN

  1. III-Nitrida(GaN,AlN,InN)

Gallium Nitrida adalah salah satu jenis semikonduktor senyawa celah lebar.Substrat Gallium Nitrida (GaN) adalah

substrat kristal tunggal berkualitas tinggi.Itu dibuat dengan metode HVPE asli dan teknologi pemrosesan wafer, yang awalnya dikembangkan selama 10+ tahun di Cina.Fiturnya adalah kristal tinggi, keseragaman yang baik, dan kualitas permukaan yang unggul.Substrat GaN digunakan untuk berbagai jenis aplikasi, untuk LED putih dan LD (violet, biru dan hijau) Selanjutnya, pengembangan telah berkembang untuk aplikasi perangkat elektronik daya dan frekuensi tinggi.

 

Lebar pita terlarang (pemancar dan penyerapan cahaya) meliputi sinar ultraviolet, sinar tampak dan inframerah.

 

Aplikasi

GaN dapat digunakan di banyak area seperti tampilan LED, Deteksi dan Pencitraan berenergi tinggi,
Tampilan Proyeksi Laser, Perangkat Daya, dll.

 

  • Perangkat Gelombang Mikro Frekuensi Tinggi Deteksi dan bayangkan energi tinggi
  • Teknologi hidrogen solor energi baru Deteksi Lingkungan dan obat biologis
  • Pita terahertz sumber cahaya
  • Tampilan Proyeksi Laser, Perangkat Daya, dll. Penyimpanan tanggal
  • Pencahayaan hemat energi Layar fla penuh warna
  • Proyeksi Laser Perangkat Elektronik Efisiensi Tinggi

ukuran disesuaikan wafer substrat HVPE GaN sumbu-m 5x10mm berdiri bebas 0

Spesifikasi Substrat GaN Berdiri Bebas

ukuran disesuaikan wafer substrat HVPE GaN sumbu-m 5x10mm berdiri bebas 1

ukuran disesuaikan wafer substrat HVPE GaN sumbu-m 5x10mm berdiri bebas 2

Visi Perusahaan Pabrik Kami
kami akan memberikan kualitas tinggi GaN steknologi substrat dan aplikasi untuk industri dengan pabrik kami.

GaNmaterial berkualitas tinggi adalah faktor penahan untuk aplikasi III-nitrida, misalnya umur panjang

dan LD stabilitas tinggi, perangkat gelombang mikro daya tinggi dan keandalan tinggi, Kecerahan tinggi
dan efisiensi tinggi, LED hemat energi.
Rincian pengiriman

ukuran disesuaikan wafer substrat HVPE GaN sumbu-m 5x10mm berdiri bebas 3

ukuran disesuaikan wafer substrat HVPE GaN sumbu-m 5x10mm berdiri bebas 4
-FAQ-
T: Apa yang dapat Anda berikan logistik dan biaya?
(1) Kami menerima DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF dan lain-lain.
(2) Jika Anda memiliki nomor ekspres sendiri, itu bagus.
Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya.Pengiriman = USD25.0 (berat pertama) + USD12.0/kg

Q: apa waktu pengiriman?
(1) Untuk produk standar seperti wafer 0,35 mm 2 inci.
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah pesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 atau 4 minggu kerja setelah pesanan.

T: Bagaimana cara membayar?
100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pembayaran yang aman, dan Jaminan Perdagangan.

T: Apa MOQnya?
(1) Untuk persediaan, MOQ adalah 1 pcs.
(2) Untuk produk yang disesuaikan, MOQ adalah 5pcs-10pcs.
Itu tergantung pada kuantitas dan teknik.

T: Apakah Anda memiliki laporan inspeksi untuk material?
Kami dapat menyediakan laporan ROHS dan laporan jangkauan untuk produk kami.

 

 

Rincian kontak
Manager

Nomor telepon : +8615801942596

Ada apa : +8615801942596