 |
Perangkat BAW Dia 50.8mm 1 Inch AlN Aluminium Nitrida Wafer
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMKJ |
| Nomor model: | Kristal tunggal UTI-AlN-1 inci |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 buah |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | wadah wafer tunggal di ruang pembersih |
| Waktu pengiriman: | dalam 30 hari |
| Syarat-syarat pembayaran: | T / T, Western Union, Paypal |
| Menyediakan kemampuan: | 10 pcs / Bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| bahan: | kristal AlN | ketebalan: | 400um |
|---|---|---|---|
| Orientasi: | 0001 | aplikasi: | perangkat elektronik daya tinggi/frekuensi tinggi |
| aplikasi 2: | Perangkat gergaji 5G/BAW | Ra: | 0.5nm |
| permukaan dipoles: | Al wajah cmp, N-wajah mp | tipe kristal: | 2H |
| Cahaya Tinggi: | Wafer aluminium nitrida AlN,wafer aluminium nitrida 50.8mm,Perangkat BAW Wafer AlN |
||
Deskripsi Produk
dia50.8mm 2 inci 1 inci AlN substrat/AlN wafer kristal tunggal
10x10mm atau diameter 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, dia50.8mm AlN substrat AlN wafer kristal tunggal
Aplikasi template AlN
kami telah mengembangkan serangkaian proses dan teknologi eksklusif untuk dibuat
template AlN berkualitas tinggi.Saat ini, OEM kami adalah satu-satunya perusahaan di seluruh dunia yang dapat memproduksi AlN 2-6 inci
templat dalam kemampuan produksi industri skala besar dengan kapasitas 300.000 keping pada tahun 2020 untuk memenuhi bahan peledak
permintaan pasar dari UVC-LED, komunikasi nirkabel 5G, detektor dan sensor UV, dll
Saat ini kami menyediakan pelanggan dengan standar 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm nitrogen berkualitas tinggi
Produk substrat kristal aluminium tunggal, dan juga dapat menyediakan pelanggan dengan 10-20mm non-polar
Substrat kristal tunggal aluminium nitrida M-plane, atau sesuaikan 5mm-50,8mm non-standar untuk pelanggan
Substrat kristal tunggal aluminium nitrida yang dipoles.Produk ini banyak digunakan sebagai bahan substrat kelas atas
Digunakan dalam chip UVC-LED, detektor UV, laser UV, dan berbagai daya tinggi
/Suhu tinggi/bidang perangkat elektronik frekuensi tinggi.
Produk substrat kristal aluminium tunggal, dan juga dapat menyediakan pelanggan dengan 10-20mm non-polar
Substrat kristal tunggal aluminium nitrida M-plane, atau sesuaikan 5mm-50,8mm non-standar untuk pelanggan
Substrat kristal tunggal aluminium nitrida yang dipoles.Produk ini banyak digunakan sebagai bahan substrat kelas atas
Digunakan dalam chip UVC-LED, detektor UV, laser UV, dan berbagai daya tinggi
/Suhu tinggi/bidang perangkat elektronik frekuensi tinggi.
Spesifikasi Karakteristik
- ModelISK-AlN-10x10B-kristal tunggal
- Diameter 10x10 ± 0,5mmatau dia10mm, dia25.4mm, atau dia30mm, atau dia45mm;
- Ketebalan substrat (µm) 400± 50
- OrientasiSumbu-C [0001] +/- 0,5°
Kualitas Grade S-grade (super) P-grade (produksi) R-grade (Penelitian)
- retakTidak ada Tidak ada <3mm
- FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
- FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
- Kekasaran Permukaan [5×5µm] (nm)CMP Al-wajah <0.5nm;N-wajah (permukaan belakang) MP <1.2um;
- Area yang dapat digunakan 90%
- Absorbansi <50 <70 <100；
- Orientasi panjang pertama {10-10} ±5°；
- TTV (µm)30
- Busur (µm)30
- Melengkung (µm)-30~30
- Catatan: Hasil karakterisasi ini mungkin sedikit berbeda tergantung pada peralatan dan/atau perangkat lunak yang digunakan
elemen pengotor CO Si B Na WPS Ti Fe
PPW27 90 5,4 0,92 0,23 <0,1 <0,1 <0,5 0,46 <0,5
| Struktur kristal |
Wurtzit |
| Konstanta kisi (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Jenis pita konduksi | Celah pita langsung |
| Kepadatan (g/cm3) | 3.23 |
| Kekerasan mikro permukaan (uji Knoop) | 800 |
| Titik leleh () | 2750 (10-100 bar di N2) |
| Konduktivitas termal (W/m·K) | 320 |
| Energi celah pita (eV) | 6.28 |
| Mobilitas elektron (V·s/cm2) | 1100 |
| Medan gangguan listrik (MV/cm) | 11.7 |
Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini