• 5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal
  • 5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal
  • 5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal
5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal

5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMKJ
Nomor model: ISK-AlN-10x10 kristal tunggal

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 1 buah
Harga: by case
Kemasan rincian: wadah wafer tunggal di ruang pembersih
Waktu pengiriman: dalam 30 hari
Syarat-syarat pembayaran: T / T, Western Union, Paypal
Menyediakan kemampuan: 10 pcs / Bulan
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

bahan: kristal AlN ketebalan: 400um
Orientasi: 0001 aplikasi: perangkat elektronik daya tinggi/frekuensi tinggi
aplikasi 2: Perangkat gergaji 5G/BAW Ra: 0.5nm
permukaan dipoles: Al wajah cmp, N-wajah mp tipe kristal: 2H
Cahaya Tinggi:

diameter 10mm aln substrat

,

5G melihat Substrat Semikonduktor

,

substrat aln kristal tunggal

Deskripsi Produk

 

10x10mm atau diameter 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, dia50.8mm AlN substrat AlN wafer kristal tunggal

 

Aplikasi template AlN
Teknologi semikonduktor berbasis silikon telah mencapai batasnya dan tidak dapat memenuhi persyaratan masa depan
perangkat elektronik.Sebagai jenis bahan semikonduktor generasi ke-3/4, aluminium nitrida (AlN) memiliki
sifat fisik dan kimia yang unggul seperti celah pita lebar, konduktivitas termal tinggi, kerusakan tinggi yang diajukan,
mobilitas elektronik yang tinggi dan ketahanan terhadap korosi/radiasi, dan merupakan substrat yang sempurna untuk perangkat optoelektronik,
perangkat frekuensi radio (RF), perangkat elektronik berdaya tinggi/frekuensi tinggi, dll. Khususnya, substrat AlN adalah
kandidat terbaik untuk UV-LED, detektor UV, laser UV, perangkat RF 5G daya tinggi/frekuensi tinggi dan 5G SAW/BAW
perangkat, yang dapat digunakan secara luas dalam perlindungan lingkungan, elektronik, komunikasi nirkabel, pencetakan,
biologi, kesehatan, militer dan bidang lainnya, seperti pemurnian/sterilisasi UV, pengawetan UV, fotokatalisis, coun?
deteksi pemalsuan, penyimpanan dengan kepadatan tinggi, fototerapi medis, penemuan obat, komunikasi nirkabel dan aman,
deteksi aerospace/deep-space dan bidang lainnya.
kami telah mengembangkan serangkaian proses dan teknologi eksklusif untuk dibuat
template AlN berkualitas tinggi.Saat ini, OEM kami adalah satu-satunya perusahaan di seluruh dunia yang dapat memproduksi AlN 2-6 inci
templat dalam kemampuan produksi industri skala besar dengan kapasitas 300.000 keping pada tahun 2020 untuk memenuhi bahan peledak
permintaan pasar dari UVC-LED, komunikasi nirkabel 5G, detektor dan sensor UV, dll
 
Saat ini kami menyediakan pelanggan dengan standar 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm nitrogen berkualitas tinggi
Produk substrat kristal aluminium tunggal, dan juga dapat menyediakan pelanggan dengan 10-20mm non-polar
Substrat kristal tunggal aluminium nitrida M-plane, atau sesuaikan 5mm-50,8mm non-standar untuk pelanggan
Substrat kristal tunggal aluminium nitrida yang dipoles.Produk ini banyak digunakan sebagai bahan substrat kelas atas
Digunakan dalam chip UVC-LED, detektor UV, laser UV, dan berbagai daya tinggi
/Suhu tinggi/bidang perangkat elektronik frekuensi tinggi.
 
 
Spesifikasi Karakteristik
  • ModelISK-AlN-10x10B-kristal tunggal
  • Diameter 10x10 ± 0,5mmkan
  • Ketebalan substrat (µm) 400± 50
  • OrientasiSumbu-C [0001] +/- 0,5°

Kualitas Grade S-grade (super) P-grade (produksi) R-grade (Penelitian)

  • retakTidak ada Tidak ada <3mm
  • FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
  • FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
  • Kekasaran Permukaan [5×5µm] (nm)CMP Al-wajah <0.5nm;N-wajah (permukaan belakang) MP <1.2um;
  • Area yang dapat digunakan 90%
  • Absorbansi <50 <70 <100;
  • Orientasi panjang pertama {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)30
  • Busur (µm)30
  • Melengkung (µm)-30~30
  • Catatan: Hasil karakterisasi ini mungkin sedikit berbeda tergantung pada peralatan dan/atau perangkat lunak yang digunakan
5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal 0

5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal 1

5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal 2

 

5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal 3

5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal 4

 
elemen pengotor CO Si B Na WPS Ti Fe
PPW27 90 5,4 0,92 0,23 <0,1 <0,1 <0,5 0,46 <0,5
 
 
Struktur kristal

Wurtzit

Konstanta kisi (Å) a=3.112, c=4.982
Jenis pita konduksi Celah pita langsung
Kepadatan (g/cm3) 3.23
Kekerasan mikro permukaan (uji Knoop) 800
Titik leleh () 2750 (10-100 bar di N2)
Konduktivitas termal (W/m·K) 320
Energi celah pita (eV) 6.28
Mobilitas elektron (V·s/cm2) 1100
Medan gangguan listrik (MV/cm) 11.7

 

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
5G Diameter Gergaji 10mm Substrat Semikonduktor AlN Kristal Tunggal bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.