DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer

Informasi Dasar
Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMKJ
Nomor model: 4inch wafer sic dengan kemurnian tinggi
Kuantitas min Order: 2 lembar
Harga: by case
Kemasan rincian: paket wafer tunggal di ruang pembersih 100 tingkat
Waktu pengiriman: 1-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T / T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 1-50 pcs / bulan
Bahan: Kristal tunggal SiC 4h-N Kelas: Kelas produksi
Terima kasih banyak: 2mm atau 0,5mm Suraface: DSP
Aplikasi: EPITAKSIAL Diameter: 4 inci
Warna: Tidak berwarna MPD: <1cm-2
Cahaya Tinggi:

wafer silikon carborundum

,

wafer silikon kelas dummy

,

wafer silikon monokristalin DSP

Ukuran disesuaikan/2 inci/3 inci/4 inci/6 inci 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC ingot/Kemurnian tinggi 4H-N 4 inci 6 inci diameter 150mm silikon karbida tunggal

un-doped 4" 6" 6inch 4h-sic wafer 4Inch produksi dummy Grade

 

Tentang Silicon Carbide (SiC)Crystal

Silicon carbide (SiC), juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC.SiC digunakan dalam perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya.SiC juga merupakan salah satu komponen LED yang penting, merupakan substrat populer untuk menumbuhkan perangkat GaN, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas pada suhu tinggi. LED daya.

 

1. Deskripsi
Properti 4H-SiC, Kristal Tunggal 6H-SiC, Kristal Tunggal
Parameter kisi a=3,076 c=10,053 a=3,073 c=15,117
Urutan Penumpukan ABCB ABCACB
Kekerasan Mohs 9.2 9.2
Kepadatan 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Satuan panas.Koefisien Ekspansi 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indeks Refraksi @750nm

tidak = 2,61
ne = 2,66

tidak = 2.60
ne = 2,65

Konstanta Dielektrik c~9,66 c~9,66
Konduktivitas Termal (tipe-N, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

 
Konduktivitas Termal (Semi-isolasi)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

celah pita 3,23 eV 3,02 eV
Medan Listrik Break-Down 3-5 × 106V / cm 3-5 × 106V / cm
Kecepatan Drift Saturasi 2.0×105m/s 2.0×105m/s

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

Spesifikasi Substrat Silicon Carbide (SiC) berdiameter 4H-N 4 inci

Spesifikasi Substrat Silicon Carbide (SiC) berdiameter 2 inci  
Nilai Nol MPD Grade Kelas Produksi Kelas Penelitian Kelas boneka  
 
Diameter 100. mm±0.38mm 150±0.5mm  
 
Ketebalan 500 ± 25um Atau ketebalan khusus lainnya  
 
Orientasi Wafer Sumbu mati : 40° menuju <1120> ±0,5° untuk 4H-N/4H-SI Sumbu aktif : <0001>±0,5° untuk 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Kepadatan Mikropipa 0.4cm-2 1cm-2 5cm-2 10 cm-2  
 
Resistivitas 4H-N 0,015~0,028 •cm  
 
6H-T 0,02~0,1 •cm  
 
4/6H-SI 1E7 ·cm  
 
Flat Utama {10-10}±5.0°  
 
Panjang Datar Primer 18,5 mm ± 2,0 mm  
 
Panjang Datar Sekunder 10.0mm±2.0mm  
 
Orientasi Datar Sekunder Silikon menghadap ke atas: 90 ° CW.dari Prime flat ±5.0°  
 
Pengecualian tepi 1 mm  
 
TTV/Busur/Warp 10μm /≤10μm /≤15μm  
 
Kekasaran Polandia Ra≤1 nm  
 
CMP Ra≤0,5 nm  
 
Retak oleh cahaya intensitas tinggi Tidak ada 1 diperbolehkan, 2 mm Panjang kumulatif 10mm, panjang tunggal 2mm  
 
 
Pelat Hex dengan cahaya intensitas tinggi Area kumulatif 1% Area kumulatif 1% Area kumulatif 3%  
 
Area Polytype dengan cahaya intensitas tinggi Tidak ada Luas kumulatif 2% Luas kumulatif 5%  
 
 
Goresan oleh cahaya intensitas tinggi 3 goresan hingga 1 × panjang kumulatif diameter wafer 5 goresan hingga 1 × panjang kumulatif diameter wafer 5 goresan hingga 1 × panjang kumulatif diameter wafer  
 
 
chip tepi Tidak ada 3 diperbolehkan, 0,5 mm masing-masing 5 diperbolehkan, 1 mm masing-masing  

 

Pertunjukan tampilan produksi

 

 DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 1
 
DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 2
DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 3DSP Surface Undoped Dummy Grade Carborundum Silicon Wafer 4
KATALOG UKURAN UMUMDalam DAFTAR PERSEDIAAN KAMI  
 

 

Tipe 4H-N / wafer/ingot SiC Kemurnian Tinggi
2 inci 4H N-Type SiC wafer/ingot
Wafer SiC Tipe-N 3 inci 4H
4 inci 4H N-Type SiC wafer/ingot
6 inci 4H N-Type SiC wafer/ingot

4H Semi-isolasi / Kemurnian Tinggi wafer SiC

Wafer SiC semi-isolasi 2 inci 4H
Wafer SiC semi-isolasi 3 inci 4H
Wafer SiC semi-insulasi 4 inci 4 inci
Wafer SiC semi-isolasi 6 inci 4H
 
 
Wafer SiC Tipe-N 6H
2 inci 6H N-Type SiC wafer/ingot
 
Ukuran yang disesuaikan untuk 2-6 inci
 

Aplikasi SiC

Area aplikasi

  • 1 frekuensi tinggi dan perangkat elektronik daya tinggi dioda Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • dioda, IGBT, MOSFET
  • 2 perangkat optoelektronik: terutama digunakan dalam bahan substrat LED biru GaN/SiC (GaN/SiC) LED

>Kemasan – Logistik
kami memperhatikan setiap detail paket, pembersihan, anti-statis, perawatan kejut.

Sesuai dengan jumlah dan bentuk produk, kami akan mengambil proses pengemasan yang berbeda!Hampir dengan kaset wafer tunggal atau kaset 25pcs di ruang pembersih kelas 100.

FAQ
Q1.Apakah Anda seorang pabrik?
A1.Ya, kami adalah produsen profesional komponen optik, kami memiliki lebih dari 8 tahun pengalaman dalam proses wafer dan lensa optik.
 
Q2.Apa MOQ produk Anda?
A2.Tidak ada MOQ untuk pelanggan jika produk kami tersedia, atau 1-10pcs.
 
Q3: Dapatkah saya menyesuaikan produk berdasarkan kebutuhan saya?
A3.Ya, kami dapat menyesuaikan bahan, spesifikasi, dan lapisan optik untuk komponen optik Anda sesuai kebutuhan Anda.
 
Q4.Bagaimana saya bisa mendapatkan sampel dari Anda?
A4.Kirimkan saja kebutuhan Anda, maka kami akan mengirimkan sampel yang sesuai.
 
Q5.Berapa hari sampel akan selesai?Bagaimana dengan produk massal?
A5.Umumnya, kita perlu 1 ~ 2 minggu untuk menyelesaikan produksi sampel.Adapun produk massal, itu tergantung pada jumlah pesanan Anda.
 
Q6.apa waktu pengiriman?
A6.(1) Untuk persediaan: waktu pengiriman adalah 1-3 hari kerja.(2) Untuk produk yang disesuaikan: waktu pengiriman adalah 7 hingga 25 hari kerja.
Menurut kuantitas.
 
Q7.Bagaimana Anda mengontrol kualitas?
A7.Lebih dari empat kali pemeriksaan kualitas selama proses produksi, kami dapat memberikan laporan pengujian Kualitas.
 
Q8.Bagaimana dengan kemampuan produksi lensa optik Anda per Bulan?
A8.Sekitar 1.000 pcs/Bulan. Sesuai dengan kebutuhan detail.

 

Rincian kontak
Manager

Nomor telepon : +8615801942596

Ada apa : +8615801942596