 |
Lensa Kekerasan 9,0 Sic Transparan Un-Doped 4H-SEMI
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMKJ |
| Nomor model: | lensa sic bentuk customzied |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 buah |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | paket wafer tunggal di ruang pembersih 100 tingkat |
| Waktu pengiriman: | 1-6 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Menyediakan kemampuan: | 1-50 pcs / bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | kristal tunggal SiC | Kekerasan: | 9.0 |
|---|---|---|---|
| Membentuk: | Disesuaikan | Toleransi: | ± 0,05 mm |
| Aplikasi: | Lensa Optik | Jenis: | 4 jam-semi |
| Diameter: | Disesuaikan | Resistivitas: | >1E8 |
| Warna: | transparan | ||
| Cahaya Tinggi: | Lensa Kekerasan 9.0 Sic,Lensa Sic 4H-SEMI,Lensa Optik Kristal Tunggal SiC |
||
Deskripsi Produk
2 inci/3 inci/4 inci/6 inci 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC ingot/Kemurnian tinggi 4H-N 4 inci 6 inci diameter 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) substrat wafer,
un-doped 4H-SEMI kemurnian tinggi transparan customzied bentuk lensa sic Kekerasan9.0
Tentang Silicon Carbide (SiC)Crystal
| Properti | 4H-SiC, Kristal Tunggal | 6H-SiC, Kristal Tunggal |
| Parameter Kisi | a=3,076 c=10,053 | a=3,073 c=15,117 |
| Urutan Penumpukan | ABCB | ABCACB |
| Kekerasan Mohs | 9.2 | 9.2 |
| Kepadatan | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Satuan panas.Koefisien Ekspansi | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indeks Refraksi @750nm |
tidak = 2,61 ne = 2,66 |
tidak = 2.60 ne = 2,65 |
| Konstanta Dielektrik | c~9,66 | c~9,66 |
| Konduktivitas Termal (tipe-N, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
|
| Konduktivitas Termal (Semi-isolasi) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
| celah pita | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Medan Listrik Break-Down | 3-5 × 106V / cm | 3-5 × 106V / cm |
| Kecepatan Drift Saturasi | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Penerapan SiC dalam industri perangkat listrik
Dibandingkan dengan perangkat silikon, perangkat daya silikon karbida (SiC) dapat secara efektif mencapai efisiensi tinggi, miniaturisasi, dan sistem elektronik daya yang ringan.Kehilangan energi perangkat daya SiC hanya 50% dari perangkat Si, dan pembangkitan panas hanya 50% dari perangkat silikon, SiC juga memiliki kerapatan arus yang lebih tinggi.Pada tingkat daya yang sama, volume modul daya SiC secara signifikan lebih kecil daripada modul daya silikon.Mengambil modul daya cerdas IPM sebagai contoh, menggunakan perangkat daya SiC, volume modul dapat dikurangi menjadi 1/3 hingga 2/3 modul daya silikon.
Ada tiga jenis dioda daya SiC: dioda Schottky (SBD), dioda PIN, dan dioda Schottky yang dikendalikan junction barrier (JBS).Karena penghalang Schottky, SBD memiliki tinggi penghalang persimpangan yang lebih rendah, sehingga SBD memiliki keunggulan tegangan maju yang rendah.Munculnya SiC SBD telah memperbesar jangkauan aplikasi SBD dari 250V menjadi 1200V.Selain itu, karakteristiknya pada suhu tinggi baik, arus bocor balik tidak meningkat dari suhu kamar hingga 175 ° C. Dalam bidang aplikasi penyearah di atas 3kV, dioda SiC PiN dan SiC JBS telah menerima banyak perhatian karena tegangan tembusnya yang lebih tinggi. , kecepatan switching lebih cepat, ukuran lebih kecil dan bobot lebih ringan daripada penyearah silikon.
Perangkat MOSFET daya SiC memiliki resistansi gerbang yang ideal, kinerja switching kecepatan tinggi, resistansi rendah, dan stabilitas tinggi.Ini adalah perangkat pilihan di bidang perangkat daya di bawah 300V.Ada laporan bahwa MOSFET silikon karbida dengan tegangan pemblokiran 10kV telah berhasil dikembangkan.Para peneliti percaya bahwa MOSFET SiC akan menempati posisi yang menguntungkan di bidang 3kV - 5kV.
SiC Insulated Gate Bipolar Transistors (SiC BJT, SiC IGBT) dan SiC Thyristor (SiC Thyristor), perangkat IGBT tipe-P SiC dengan tegangan pemblokiran 12 kV memiliki kemampuan arus maju yang baik.Dibandingkan dengan transistor bipolar Si, transistor bipolar SiC memiliki rugi-rugi switching 20-50 kali lebih rendah dan penurunan tegangan nyala yang lebih rendah.SiC BJT terutama dibagi menjadi emitor epitaxial BJT dan emitor implantasi ion BJT, gain arus tipikal adalah antara 10-50.
| Properti | satuan | silikon | SiC | GaN |
| Lebar celah pita | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| Bidang perincian | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
| Mobilitas elektron | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Drift valocity | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
| Konduktivitas termal | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
Tentang Perusahaan ZMKJ
ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC kristal tunggal ( Silicon Carbide ) berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik .wafer SiC adalah bahan semikonduktor generasi berikutnya , dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik , dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs , wafer SiC lebih cocok untuk aplikasi perangkat suhu tinggi dan daya tinggi .Wafer SiC dapat disuplai dengan diameter 2-6 inci, baik SiC 4H dan 6H, tipe-N, doping Nitrogen, dan tipe semi-isolasi tersedia.Silahkan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.
FAQ:
Q: Apa cara pengiriman dan biaya?
A:(1) Kami menerima DHL, Fedex, EMS dll.
(2) tidak apa-apa Jika Anda memiliki akun ekspres Anda sendiri, Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya dan
Pengiriman adalah sayan sesuai dengan penyelesaian yang sebenarnya.
T: Bagaimana cara membayar?
A: T/T 100％ deposit sebelum pengiriman.
T: Apa MOQ Anda?
A: (1) Untuk persediaan, MOQ adalah 1 pcs.jika 2-5 pcs lebih baik.
(2) Untuk produk komentar yang disesuaikan, MOQ adalah 10 pcs ke atas.
Q: apa waktu pengiriman?
A: (1) Untuk produk standar
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah Anda melakukan pemesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 -4 minggu setelah Anda memesan kontak.
T: Apakah Anda memiliki produk standar?
A: Produk standar kami tersedia.seperti substrat 4 inci 0.35mm.