 |
Ketebalan 5um AlN Aluminium Nitrida Template 430um Sapphire 350um Sic Substrat
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | zmkj |
| Nomor model: | Templat 2-4 inci |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 5pcs |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | Wafer tunggal dengan paket vakum |
| Waktu pengiriman: | 1-5 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, Western Union |
| Menyediakan kemampuan: | 50pcs per bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | Substrat Aluminium Nitrida | Ukuran: | 2 inci |
|---|---|---|---|
| Ketebalan: | 4-5um pada 0.43mm | Mengetik: | templat |
| Aplikasi: | Layar Proyeksi Laser, Perangkat Daya | Pertumbuhan: | HVPE |
| Cahaya Tinggi: | gan wafer,wafer gallium phosphide |
||
Deskripsi Produk
Ketebalan 2 inci 5um AlN Aluminium Nitride Template pada substrat 430um sapphire / 350um Sic
AlN Wafer Characteristic
- III-Nitride (GaN, AlN, InN)
AlN template 2 inci pada safir atau substrat sic, HVPE Gallium Nitride wafer, AlN substrat pada GaN
Lebar pita terlarang (pemancar dan penyerapan cahaya) mencakup ultraviolet, cahaya tampak, dan inframerah.
AlN template digunakan untuk pengembangan struktur HEMT, dioda tunneling resonansi dan
perangkat acoustoelectronic
Spesifikasi templat AlN 2-4 inci
Spesifikasi:
| 2 "AlN Templates | 4 inci | |
| Barang | AlN-T | |
| Ukuran | Ф 2 ” | |
| Substrat | Sapphire, SiC, GaN | |
| Ketebalan | 4-5um | |
| Orientasi | Sumbu C (0001) ± 1 ° | |
| Jenis konduksi | Semi-isolasi | |
| Kepadatan Dislokasi | XRD FWHM dari (0002) <200 arcsec. | |
| XRD FWHM dari (10-12) <1000 arcsec | ||
| Area Permukaan yang Bisa Digunakan | > 80% | |
| Polishing | Standar: SSP | |
| Opsi: DSP | ||
| Paket | Dikemas dalam lingkungan ruangan bersih kelas 100, dalam kaset 25pcs atau wadah wafer tunggal, dalam suasana nitrogen. | |
Aplikasi:
GaN dapat digunakan di banyak bidang seperti tampilan LED, Deteksi dan Pencitraan berenergi tinggi,
Layar Proyeksi Laser, Perangkat Daya, dll.
- Perangkat Gelombang Mikro Frekuensi Tinggi Deteksi energi tinggi dan bayangkan
- Teknologi hidrogen solor energi baru, Deteksi Lingkungan dan pengobatan biologis
- Sumber cahaya band terahertz
- Tampilan Proyeksi Laser, Perangkat Daya, dll. Penyimpanan tanggal
- Pencahayaan hemat energi Layar penuh warna
- Proyeksi Laser Perangkat Elektronik Efisiensi Tinggi
PRODUK TERKAIT KAMI
Visi Perusahaan Factroy Kami
kami akan menyediakan substrat GaN berkualitas tinggi dan teknologi aplikasi untuk industri dengan pabrik kami.
GaNmaterial berkualitas tinggi adalah faktor penahan untuk aplikasi III-nitrides, misalnya umur panjang
dan LDs stabilitas tinggi, daya tinggi dan keandalan perangkat gelombang mikro, Kecerahan tinggi
dan efisiensi tinggi, LED hemat energi. 
-FAQ -
Q: Apa itu MOQ?
(1) Untuk persediaan, MOQ adalah 2 pcs.
(2) Untuk produk yang disesuaikan, MOQ adalah 5pcs-10pcs.
Itu tergantung pada kuantitas dan teknik.
T: Apakah Anda memiliki laporan inspeksi untuk bahan?
Kami dapat menyediakan laporan ROHS dan mencapai laporan untuk produk kami.
T: Apa yang dapat Anda berikan logistik dan biaya?
(1) Kami menerima DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF dan lain-lain.
(2) Jika Anda memiliki nomor ekspres Anda sendiri, itu bagus.
Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirim. Pengangkutan = USD25.0 (bobot pertama) + USD12.0 / kg
Q: Apa waktu pengiriman?
(1) Untuk produk standar seperti wafer 2 inci 0.33mm.
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah pesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 atau 4 minggu kerja setelah pesanan.
Q: Bagaimana cara membayar?
100 ％ T / T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pembayaran aman dan Jaminan Perdagangan.