4 '' Silikon Pada Sapphire Wafers Produksi Prime Grade 4H N-Doped Wafer SiC

Informasi Dasar
Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMKJ
Nomor model: 4 inci P-grade
Kuantitas min Order: 1pcs
Harga: 600-1500usd/pcs by FOB
Kemasan rincian: paket wafer tunggal di ruang pembersih 100 tingkat
Waktu pengiriman: 1-6 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 1-50 pcs / bulan
Bahan: SiC tipe kristal tunggal 4H-N Kelas: Dummy / penelitian / Tingkat produksi
Terima kasih: 350um atau 500um Suraface: CMP / MP
Aplikasi: uji polishing pembuat perangkat Diameter: 100 ± 0,3mm
Cahaya Tinggi:

substrat silikon karbida

,

wafer sic

4H-N Pengujian kelas 6 inch dia 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) substrat wafer, sic kristal ingot sic semikonduktor substrat, Silikon Karbida kristal Wafer / Customzied sebagai-potong wafer sic

Tentang Kristal Silikon Karbida (SiC)

Silikon karbida (SiC), juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC. SiC digunakan dalam perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya. SiC juga merupakan salah satu komponen LED yang penting, ini adalah substrat populer untuk menumbuhkan perangkat GaN, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas di LED daya

Silikon karbida SiC Wafer 4H n-doped 4 inci

Spesifikasi Substrat Silicon Carbide (SiC) berdiameter 4 inci

  Kelas

Tingkat Produksi Nol MPD

(Kelas Z)

Tingkat produksi

(P Grade)

Dummy Grade (D Grade)

Diameter

99,5-100 mm

  Ketebalan

4H-N

350 μm ± 25μm

4H-SI

500 μm ± 25μm

  Orientasi Wafer

Off axis: 4.0 ° menuju <   1120>   ± 0,5 ° untuk 4H-N Pada sumbu: <0001> ± 0,5 ° untuk 4H-SI

  Kepadatan Micropipe

4H-N

0,5cm -2

2 cm -2

15 cm -2

4H-SI

1cm -2

5 cm -2

15 cm -2

  Tahanan

4H-N

0,015 ~ 0,025 Ω · cm

0,015 ~ 0,028 Ω · cm

4H-SI

1E7 Ω · cm

1E5 Ω · cm

  Flat Primer

{10-10} ± 5.0 °

  Panjang Datar Primer

32,5 mm ± 2,0 mm

  Panjang Datar Sekunder

18.0mm ± 2.0 mm

  Orientasi Flat Sekunder

Silikon menghadap ke atas: 90 ° CW. dari Prime flat ± 5.0 °

  Pengecualian tepi

2 mm

  LTV / TTV / Bow / Warp

4μm / 10μm / 25μm / 35μm

10μm / 15μm / 25μm / 40μm

  Kekasaran

Polish Ra 1 nm

CMP Ra 0,5 nm

Retak oleh cahaya intensitas tinggi

Tidak ada

Panjang kumulatif 10mm, panjang tunggal≤2mm

Pelat Hex oleh cahaya intensitas tinggi

Area kumulatif 0,05%

Area kumulatif 0,1%

Area Polytype dengan cahaya intensitas tinggi

Tidak ada

Area kumulatif 3%

Inklusi Karbon Visual

Area kumulatif 0,05%

Area kumulatif 3%

Tergores oleh cahaya intensitas tinggi

Tidak ada

Panjang kumulatif 1 × diameter wafer

  Chip tepi

Tidak ada

5 diperbolehkan, 1 mm masing-masing

Kontaminasi oleh cahaya intensitas tinggi

Tidak ada

  Pengemasan

Kaset Multi-wafer Atau Wafer Kontainer Tunggal

Catatan:
* Batas cacat berlaku untuk seluruh permukaan wafer kecuali untuk area pengecualian tepi. # Goresan harus diperiksa hanya pada wajah Si.

Tentang Aplikasi Substrat SiC
UKURAN KATALOG UMUM

4H-N Type / Wafer / ingot SiC Kemurnian Tinggi
Wafer / batangan SiC tipe-N 2 inci 4H
3 inci 4H N-Type wafer SiC
Wafer / ingot 4C N-Type 4H N
Wafer / ingot tipe-4 N N 6 inci

4H Semi-isolasi / Wafer SiC Kemurnian Tinggi

2 inch 4H wafer SiC Semi-isolasi
3 inch 4H wafer SiC Semi-isolasi
4 inch 4H Wafer semi-isolasi SiC
Wafer SiC semi-insulasi 6 inci 4H
6H N-Type SiC wafer
Wafer / ingot tipe-N 6 inci 6H N-type

Ukuran customzied untuk 2-6 inci

Penjualan & Layanan Pelanggan

Pembelian Bahan

Departemen pembelian bahan bertanggung jawab untuk mengumpulkan semua bahan baku yang dibutuhkan untuk menghasilkan produk Anda. Penelusuran lengkap semua produk dan bahan, termasuk analisis kimia dan fisik selalu tersedia.

Kualitas

Selama dan setelah pembuatan atau pemesinan produk Anda, departemen kendali mutu terlibat dalam memastikan bahwa semua bahan dan toleransi memenuhi atau melampaui spesifikasi Anda.

Layanan

Kami bangga memiliki staf teknik penjualan dengan pengalaman lebih dari 5 tahun di industri semikonduktor. Mereka dilatih untuk menjawab pertanyaan teknis serta memberikan penawaran tepat waktu untuk kebutuhan Anda.

kami berada di sisi Anda kapan saja ketika Anda memiliki masalah, dan menyelesaikannya dalam 10 jam.

Rincian kontak
Manager

Nomor telepon : +8615801942596

Ada apa : +8615801942596