Silikon karbida (SiC), juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC. SiC digunakan dalam perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya. SiC juga merupakan salah satu komponen LED yang penting, ini adalah substrat populer untuk menumbuhkan perangkat GaN, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas di LED daya
1. Spesifikasi
Diameter 6 inci, Spesifikasi Media Silikon Karbida (SiC) | ||||||||
Kelas | Nol MPD Grade | Tingkat produksi | Kelas Penelitian | Dummy Grade | ||||
Diameter | 150,0 mm ± 0,2mm | |||||||
KetebalanΔ | 350 μm ± 25μm atau 500 ± 25un | |||||||
Orientasi Wafer | Off axis: 4,0 ° menuju <1120> ± 0,5 ° untuk 4H-N On axis: <0001> ± 0,5 ° untuk 6H-SI / 4H-SI | |||||||
Flat Primer | {10-10} ± 5.0 ° | |||||||
Panjang Datar Primer | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||||||
Pengecualian tepi | 3 mm | |||||||
TTV / Bow / Warp | ≤15μm / ≤40μm / ≤60μm | |||||||
Kepadatan Micropipe | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||
Tahanan | 4H-N | 0,015 ~ 0,028 Ω · cm | ||||||
4 / 6H-SI | ≥1E5 Ω · cm | |||||||
Kekasaran | Polish Ra≤1 nm | |||||||
CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||
Retak oleh cahaya intensitas tinggi | Tidak ada | 1 diizinkan, ≤2 mm | Panjang kumulatif ≤ 10mm, panjang tunggal≤2mm | |||||
Pelat Hex oleh cahaya intensitas tinggi | Area kumulatif ≤1% | Area kumulatif ≤2% | Area kumulatif ≤5% | |||||
Area Polytype dengan cahaya intensitas tinggi | Tidak ada | Kumulatif area≤2% | Kumulatif area≤5% | |||||
Tergores oleh cahaya intensitas tinggi | 3 goresan hingga 1 × panjang kumulatif diameter wafer | 5 goresan hingga 1 × panjang kumulatif diameter wafer | 5 goresan hingga 1 × panjang kumulatif diameter wafer | |||||
Chip tepi | Tidak ada | 3 diperbolehkan, ≤0,5 mm masing-masing | 5 diperbolehkan, ≤1 mm masing-masing | |||||
Kontaminasi oleh cahaya intensitas tinggi | Tidak ada |
4H-N Type / Wafer SiC Kemurnian Tinggi 2 inci 4H N-Type wafer SiC 3 inci 4H N-Type wafer SiC 4 inch 4H N-Type wafer SiC Wafer SiC 6 inci N-Type 6H | 4H Semi-isolasi / Wafer SiC Kemurnian Tinggi 2 inch 4H wafer SiC Semi-isolasi 3 inch 4H wafer SiC Semi-isolasi 4 inch 4H Wafer semi-isolasi SiC Wafer SiC semi-insulasi 6 inci 4H |
6H N-Type SiC wafer 2 inci 6H N-Type wafer SiC |
*
Departemen pembelian bahan bertanggung jawab untuk mengumpulkan semua bahan baku yang dibutuhkan untuk menghasilkan produk Anda. Penelusuran lengkap semua produk dan bahan, termasuk analisis kimia dan fisik selalu tersedia.
Selama dan setelah pembuatan atau pemesinan produk Anda, departemen kendali mutu terlibat dalam memastikan bahwa semua bahan dan toleransi memenuhi atau melampaui spesifikasi Anda.
Layanan
Kami bangga memiliki staf teknik penjualan dengan pengalaman lebih dari 5 tahun di industri semikonduktor. Mereka dilatih untuk menjawab pertanyaan teknis serta memberikan penawaran tepat waktu untuk kebutuhan Anda.
kami berada di sisi Anda kapan saja ketika Anda memiliki masalah, dan menyelesaikannya dalam 10 jam.